[发明专利]补偿厄利效应的电路和方法有效
| 申请号： | 201510730850.1 | 申请日： | 2015-11-02 |
| 公开（公告）号： | CN105574228B | 公开（公告）日： | 2018-12-18 |
| 发明（设计）人： | S·玛林卡 | 申请（专利权）人： | 亚德诺半导体集团 |
| 主分类号： | G06F17/50 | 分类号： | G06F17/50 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 | 代理人： | 秦晨 |
| 地址： | 百慕大群岛(*** | 国省代码： | 百慕大群岛;BM |
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| 摘要： | 本发明涉及补偿厄利效应的电路和方法。厄利效应本质上存在于双极结晶体管(BJT)。描述的是互补于绝对温度(CTAT)和正比于绝对温度(PTAT)的单元，减少否则将出现和厄利效应相关的误差。 | ||
| 搜索关键词： | 补偿 初期 效果 电路 方法 | ||
【主权项】：
1.一种互补于绝对温度的CTAT单元，所述单元包括：具有集电极、基极和发射极的第一双极型晶体管，耦合到所述第一双极型晶体管的集电极的CTAT电压发生器，以使用CTAT电压来偏压集电极，并补偿所述第一双极型晶体管的厄利效应，其中，所述CTAT电压发生器包括所述单元的第二双极型晶体管，所述第二双极型晶体管耦合到所述第一双极型晶体管的集电极，使得所述第一双极型晶体管的集电极使用涉及所述第二双极型晶体管的基极发射极电压的电压进行偏压，以及其中，所述CTAT单元还包括电流镜，所述电流镜跨设置在所述第一双极型晶体管的集电极处的电阻镜像由所述第二双极型晶体管产生的电流，以使用涉及所述第二双极型晶体管的基极发射极电压的电压来偏压所述第一双极型晶体管的集电极。
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