[发明专利]微电子装置及其制造方法有效

专利信息
申请号: 201510731901.2 申请日: 2015-11-02
公开(公告)号: CN105977239B 公开(公告)日: 2018-08-24
发明(设计)人: 李纪敦;金珍硕 申请(专利权)人: 三星电子株式会社
主分类号: H01L23/528 分类号: H01L23/528;H01L21/768
代理公司: 北京铭硕知识产权代理有限公司 11286 代理人: 刘灿强;韩明花
地址: 韩国京畿*** 国省代码: 韩国;KR
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摘要: 提供了微电子装置及其制造方法。所述微电子装置包括双镶嵌互连结构和直接位于双镶嵌互连结构上的单镶嵌线结构。所述双镶嵌互连结构和所述单镶嵌线结构均可以包括以砖墙图案布置的多条线段。砖墙图案还可以用于两个或更多个单镶嵌线结构。描述了各种微电子装置和相关制造方法。
搜索关键词: 微电子 装置 及其 制造 方法
【主权项】:
1.一种微电子装置,所述微电子装置包括:微电子基底;双镶嵌互连结构,位于微电子基底上,所述双镶嵌互连结构包括导电过孔和与微电子基底对置并直接位于导电过孔上的第一导线;以及单镶嵌线结构,直接位于双镶嵌互连结构上,所述单镶嵌线结构包括与导电过孔对置并位于第一导线上的第二导线。
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