[发明专利]具有复合覆盖层的电阻式随机存取存储器(RRAM)单元

摘要

提供了具有复合覆盖层的电阻式随机存取存储器(RRAM)单元。氧化钽基层布置在底部电极层上方。复合覆盖层布置在氧化钽基层上方并且邻接氧化钽基层。复合覆盖层包括第一金属层和位于第一金属层上面的第二金属层。相比于第二金属层，第一金属层与氧化钽基层具有更高的反应性。顶部电极层布置在复合覆盖层上方。本发明也提供了用于制造RRAM单元的方法。本发明实施例涉及具有复合覆盖层的电阻式随机存取存储器(RRAM)单元。

主权项

1.一种电阻式随机存取存储器(RRAM)单元，包括：底部电极层；氧化钽基层，布置在所述底部电极层上方；复合覆盖层，布置在所述氧化钽基层上方并且邻接所述氧化钽基层，其中，所述复合覆盖层包括第一金属层和位于所述第一金属层上面的第二金属层，并且其中，相比于所述第二金属层，所述第一金属层与所述氧化钽基层具有更高的反应性；以及顶部电极层，布置在所述复合覆盖层上方，其中，所述氧化钽基层分成上部区域和下部区域，所述下部区域比所述上部区域具有更高的氧浓度，并且所述电阻式随机存取存储器单元还包括：数据存储区，包括所述下部区域并且配置为响应于外部电场而改变电阻；和离子库区，包括所述第一金属层和所述上部区域，并且配置为存储来自所述数据存储区的氧离子。