[发明专利]一种识别芯片及其制作方法有效
| 申请号： | 201510733318.5 | 申请日： | 2015-11-02 |
| 公开（公告）号： | CN106653955B | 公开（公告）日： | 2019-02-01 |
| 发明（设计）人： | 杨杰;常文斌;林宇杰 | 申请（专利权）人： | 上海博恩世通光电股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00;H01L33/48 |
| 代理公司： | 上海光华专利事务所(普通合伙) 31219 | 代理人： | 余明伟 |
| 地址： | 201108 上海*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供一种识别芯片及其制作方法，所述识别芯片的制作方法，包括以下步骤：1)提供一外延结构，于所述外延结构上形成阻挡层，并于所述阻挡层刻蚀或腐蚀形成N孔区域和P孔区域；2)制作N电极扩散层，用于N孔区域的电性引出；3)生长钝化层，对所述钝化层进行刻蚀或腐蚀形成第一预留区域及第二预留区域，所述第一预留区域对应所述P孔区域；其中，所述第一预留区域及第二预留区域包含预设的标识信息。一种识别芯片自下而上依次包含：生长衬底，发光外延层，透明导电层，反射镜层，阻挡层，N电极扩散层，钝化层，电极。本发明提供一种识别芯片及其制作方法可用于解决现有技术中不同芯片或者芯片电极难以识别的问题。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 识别 芯片 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
1.一种识别芯片的制作方法，其特征在于，所述制作方法包括以下步骤：1)提供一外延结构，于所述外延结构上形成阻挡层，并于所述阻挡层刻蚀形成N孔区域和P孔区域；2)制作N电极扩散层，用于N孔区域的电性引出；3)生长钝化层，对所述钝化层进行刻蚀形成第一预留区域及第二预留区域，所述第一预留区域对应所述P孔区域；其中，所述第一预留区域及第二预留区域包含预设的标识信息。
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