[发明专利]调节基板温度来改进关键尺寸（CD）的均匀性有效
| 申请号： | 201510733658.8 | 申请日： | 2010-12-13 |
| 公开（公告）号： | CN105428295B | 公开（公告）日： | 2020-08-11 |
| 发明（设计）人： | 基思·威廉·加夫;哈米特·辛格;基思·科门丹特;瓦希德·瓦赫迪 | 申请（专利权）人： | 朗姆研究公司 |
| 主分类号： | H01L21/683 | 分类号： | H01L21/683;H01L21/67;H01L21/66 |
| 代理公司： | 上海胜康律师事务所 31263 | 代理人： | 李献忠 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种具有带有多个独立可控加热器区域的基板支承组件的等离子体蚀刻系统。该等离子体蚀刻系统被配置用来控制预定位置的蚀刻温度，以便可以补偿关键器件参数蚀刻前和蚀刻后的不均匀性。 | ||
| 搜索关键词： | 调节 温度 改进 关键 尺寸 cd 均匀 | ||
【主权项】：
等离子体蚀刻系统,其包含在等离子体蚀刻过程中支承基板的基板支承组件，该基板支承组件包括多个排列在所述基板下的独立可控加热器区域和控制每个加热器区域的控制器单元,其中所述控制器根据在所述基板上的多个器件管芯位置上的抗蚀层测量的蚀刻前关键器件参数和先前已蚀刻的基板的蚀刻后的关键器件参数来推断所述基板上预定位置的目标蚀刻温度,并利用可控加热器区域将每个器件管芯位置的温度调节到其目标蚀刻温度。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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