[发明专利]一种反熔丝结构及其制造方法在审
| 申请号： | 201510733668.1 | 申请日： | 2015-11-02 |
| 公开（公告）号： | CN106653729A | 公开（公告）日： | 2017-05-10 |
| 发明（设计）人： | 赵劼;钟汇才 | 申请（专利权）人： | 中国科学院微电子研究所 |
| 主分类号： | H01L23/525 | 分类号： | H01L23/525;H01L21/768 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司11227 | 代理人： | 王宝筠 |
| 地址： | 100029 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明提供一种反熔丝结构，包括半导体衬底；半导体衬底上的鳍，鳍为下电极；鳍表面上的栅介质层；栅介质层上的栅极，栅极为上电极。本发明采用鳍式结构形成反熔丝，鳍为下电极，鳍上的栅极为上电极，基于鳍的反熔丝结构具有更小的面积和更大的容量，满足器件高集成度的要求，同时，能与鳍式器件的很好的兼容，工艺兼容性好。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 反熔丝 结构 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种反熔丝结构，其特征在于，包括：半导体衬底；半导体衬底上的鳍，鳍为下电极；鳍表面上的栅介质层；栅介质层上的栅极，栅极为上电极。
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