[发明专利]一种背照式传感器的制备方法

摘要

本发明涉及半导体制造技术领域，尤其涉及一种背照式传感器的制备方法，通过在进行金属栅格底端粘合层，金属层镀膜制程之后，依次对半导体衬底进行破真空工艺和表面洁净处理工艺，之后于金属层之上沉积抗反射层，最后通过图形和刻蚀形成上表面具有抗反射层的若干金属栅格，从而避免背面金属栅格层工艺中的异常突起现象，降低异常生长，进而避免了不同像素之间额外的光线串扰，提高了背照式传感器芯片的性能。

主权项

一种背照式传感器的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：提供一具有正面和背面的半导体衬底，且所述半导体衬底中形成有若干光电二极管；按照从下至上的顺序依次于所述半导体衬底的背面上方形成底端粘合层和金属层；依次对所述半导体衬底进行破真空工艺和表面洁净处理工艺；于所述金属层的上表面形成抗反射层；按照从上至下的顺序依次刻蚀抗反射层、金属层和底端粘合层以于所述半导体衬底的背面上方形成上表面具有抗反射层的若干金属栅格，以防止所述光电二极管之间的光的串扰。