[发明专利]一种半导体加工设备

摘要

本发明公开了一种半导体加工设备，包含：反应腔；圆柱形陶瓷窗，圆柱形陶瓷窗为中空结构，其一端与反应腔联通；承载窗，设置在反应腔与圆柱形陶瓷窗之间，承载窗设有通孔，连通反应腔与圆柱形陶瓷窗；进气环，与承载窗相对，设置在圆柱形陶瓷窗的另一端；上盖，与圆柱形陶瓷窗相对设置在进气环的另一侧；法拉第屏蔽装置，套设在圆柱形陶瓷窗的外侧，且设置在承载窗与进气环之间；线圈组件，套设在法拉第屏蔽装置的外侧，且设置在承载窗与进气环之间；导向环，设置在圆柱形陶瓷窗内，且与进气环的底表面连接。本发明通过在进气环的底表面设置导向环，有效改变刻蚀气体的进气路径，提高射频耦合的均一性，有效提高刻蚀气体的解离程度。

主权项

1.一种半导体加工设备，其特征在于，包含：/n反应腔，所述反应腔内设置有载片台，所述载片台上放置待刻蚀晶圆；/n圆柱形陶瓷窗，所述圆柱形陶瓷窗为中空结构，其一端与所述反应腔联通；/n承载窗，设置在所述反应腔与圆柱形陶瓷窗之间，所述承载窗设有通孔，连通所述反应腔与圆柱形陶瓷窗；/n进气环，与所述承载窗相对，设置在圆柱形陶瓷窗的另一端，所述进气环上设有若干通孔；/n上盖，与所述圆柱形陶瓷窗相对设置在所述进气环的另一侧，所述进气环与上盖之间留有气体扩散腔，所述上盖上设有进气孔，其中进气环上的若干通孔及上盖的进气孔与进气环和上盖之间的气体扩散腔相联通；/n法拉第屏蔽装置，套设在所述圆柱形陶瓷窗的外侧，且设置在所述承载窗与进气环之间；/n线圈组件，套设在所述法拉第屏蔽装置的外侧，且设置在所述承载窗与进气环之间，所述的线圈组件为螺旋线圈；/n导向环，设置在所述圆柱形陶瓷窗内，且与所述进气环的底表面连接，所述导向环与圆柱形陶瓷窗之间留有等离子发生空间，所述的等离子发生空间一端与进气环上的通孔联通，另一端与反应腔联通；所述的上盖的进气孔、进气环与上盖之间的气体扩散腔、进气环上的若干通孔及导向环与圆柱形陶瓷窗之间的等离子发生空间形成刻蚀气体的进气通道，该进气通道可通过改变导向环的尺寸形状，调节刻蚀气体的进气路径；/n所述线圈组件与所述法拉第屏蔽装置之间的间隙大于所述法拉第屏蔽装置与所述进气环之间的横向距离。/n