[发明专利]图形化蓝宝石衬底及发光二极管的制作方法在审
| 申请号： | 201510735329.7 | 申请日： | 2015-11-03 |
| 公开（公告）号： | CN105390375A | 公开（公告）日： | 2016-03-09 |
| 发明（设计）人： | 李彬彬;徐翊翔;韦静静;周瑜;王振;徐凯;张家宏 | 申请（专利权）人： | 安徽三安光电有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02;H01L33/22;H01L33/00 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 241000 安徽*** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种图形化蓝宝石衬底的制作方法，包括步骤：S1、提供一蓝宝石平片衬底，具有相对的第一表面和第二表面，在第一表面上形成掩膜层，具有周期排列的掩膜图案，所述掩膜图案具有至少一个向外延伸的凹陷，所述凹陷对应于所述蓝宝石衬底的晶格方向；S2、采用湿法刻蚀所述蓝宝石平片衬底的第一表面，形成若干个周期性排列的相互间隔的图案，构成图形化蓝宝石衬底，其中所述掩膜图案之凹陷处刻蚀速率较快。通过该方法形成的图形化蓝宝石衬底的图案表面具有复数个凹陷区，增大了图案的反光面积，提高了衬底的出光效率。 | ||
| 搜索关键词： | 图形 蓝宝石 衬底 发光二极管 制作方法 | ||
【主权项】：
图形化蓝宝石衬底的制作方法，包括如下步骤：S1、提供一蓝宝石平片衬底，具有相对的第一表面和第二表面，在第一表面上形成掩膜层，具有周期排列的掩膜图案，所述掩膜图案具有至少一个向外延伸的凹陷，所述凹陷对应于所述蓝宝石衬底的晶格方向；S2、采用湿法刻蚀所述蓝宝石平片衬底的第一表面，形成若干个周期性排列的相互间隔的图案，构成图形化蓝宝石衬底，其中所述掩膜图案之凹陷处刻蚀速率较快。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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