[发明专利]上部不变宽的高纵横比蚀刻有效
| 申请号： | 201510735478.3 | 申请日： | 2015-11-02 |
| 公开（公告）号： | CN106098743B | 公开（公告）日： | 2019-09-13 |
| 发明（设计）人： | 周仲彥;蔡嘉雄;曾李全;李汝谅 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L21/306;B81B7/02 |
| 代理公司： | 北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409 | 代理人： | 章社杲;李伟 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明实施例提供了一种用于实施高纵横比蚀刻的方法。提供了一种具有布置在半导体衬底上方的硬掩模层的半导体衬底。对硬掩模层实施第一蚀刻以形成暴露半导体衬底的硬掩模开口。硬掩模开口具有底部宽度。穿过硬掩模开口，对半导体衬底实施第二蚀刻，以形成具有顶部宽度的衬底开口，顶部宽度约等于硬掩模开口的底部宽度。形成内衬于衬底开口的侧壁的保护层。穿过硬掩模开口，对半导体衬底实施第三蚀刻，以增加衬底开口的高度。在第三蚀刻期间，衬底开口的顶部宽度基本保持不变。也提供了具有高纵横比开口的半导体结构。本发明实施例涉及上部不变宽的高纵横比蚀刻。 | ||
| 搜索关键词： | 上部 变宽 纵横 蚀刻 | ||
【主权项】：
1.一种半导体结构，包括：半导体衬底，限定开口，其中，所述开口具有至少30的高度与宽度的比率，并且其中，所述开口包括上部区域和下部区域，所述下部区域位于所述上部区域下面并且邻接所述上部区域，所述上部区域具有均匀的宽度，并且其中，所述下部区域具有逐渐减小的宽度；以及保护层，内衬于所述上部区域的侧壁，并且从所述半导体衬底的上表面延伸并且终止于所述上部区域和所述下部区域之间的界面处；凸起，所述凸起位于所述界面处，并且所述保护层终止于所述界面处的所述凸起中。
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