[发明专利]一种调控镧钙锰氧薄膜磁性能的方法

摘要

本发明涉及一种调控镧钙锰氧薄膜磁性能的方法，所述方法包括：在硅衬底上，采用化学溶液沉积法制备镧钙锰氧薄膜，在溶液中掺入铁离子，通过调节铁离子的掺杂量，实现对镧锶锰氧薄膜磁性能的规律性调控。本发明制备的薄膜铁离子分布均匀、表面粗糙度低、无微裂纹，性能稳定，且具有较好的磁学性能，利用该调控方法制备的LCMO薄膜，可在较宽温度范围内改变其居里温度，这对于磁场传感器及磁电复合材料的研究有着重要的意义，在微波通信、信息、计算机、航空航天等领域有着潜在的重要应用前景。

主权项

1.一种调控镧钙锰氧薄膜磁性能的方法，其特征在于，所述方法为在镧钙锰氧薄膜La0.7Ca0.3MnO3中掺杂铁离子，其中铁离子的掺杂量为＞0且≤10%，所述方法包括：步骤1）根据化学计量比将乙酸镧、乙酸钙、乙酸锰和硝酸铁加入由乙酸和水组成的混合溶剂中，加热回流使溶质完全溶解，得到混合溶液，向混合溶液中加入络合剂，继续加热回流使溶质完全溶解，将溶液冷却至室温，所述混合溶剂中乙酸与水的体积比为5:1～2:1，所述络合剂与所述混合溶液的体积比为1:5～1:7；步骤2）将步骤1)得到的溶液静置72～96小时后，过滤，得到铁离子掺杂镧钙锰氧前驱体溶液；步骤3）将步骤2)制备的铁离子掺杂镧钙锰氧前驱体溶液滴加到经过预处理且高速旋转的硅衬底上，得到铁离子掺杂镧钙锰氧凝胶膜，硅衬底转速为3000～6000转/分；步骤4）将步骤3)中得到的凝胶膜进行分段热处理：先在150～200℃下保温5～10分钟，然后在300～400℃下热解10～15分钟；步骤5）重复步骤3)和4)，待达到所需薄膜厚度后，将凝胶膜在700～850℃下退火20～60分钟；所述方法中，通过调节铁离子的掺杂量，实现对镧钙锰氧薄膜磁性能的规律性调控。