[发明专利]一种芯片的片上导线直接引出结构及制作方法

摘要

本发明涉及一种芯片的片上导线直接引出结构及制作方法，属于电子器件类。本发明特征在于使用微加工方法，在硅片表面形成一个容纳导线的槽，槽的形状为V形、梯形、U形、弧形、方形或其组合的凹槽、凹坑或者通孔，然后再在其上制作金属电极，从而实现百微米到毫米量级导线的直接引出结构。提供了一种在芯片上实现百微米到毫米量级导线的直接引出结构，从而可显著提高导线与芯片的连接强度，避免由于温度或者压力等外界环境变化以及人员操作所导致的芯片与导线的连接损坏而引起的断路等问题。

主权项

1.一种芯片的片上导线直接引出结构，其特征在于：使用微加工方法，在芯片表面形成一容纳导线的槽；所述槽是形状为V形、梯形、弧形及方形中的一种或其组合所形成的凹坑；或者所述槽是由所述凹坑及通孔的组合；所述槽用于固定电路连接的所述导线，其中，所述凹坑及通孔相连通；然后再在所述槽上制作金属电极，从而实现百微米到毫米量级的所述导线的直接引出结构。