[发明专利]防止金属-绝缘体-金属(MIM)电容器中铜污染的方法在审
| 申请号： | 201510736539.8 | 申请日： | 2015-11-02 |
| 公开（公告）号： | CN105789186A | 公开（公告）日： | 2016-07-20 |
| 发明（设计）人： | 朱景升;徐晨祐;刘世昌 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/64 | 分类号： | H01L23/64;H01L21/62 |
| 代理公司： | 北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409 | 代理人： | 章社杲;李伟 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种MIM电容器，该MIM电容器包括复合电容器顶部金属(CTM)电极和复合电容器底部金属(CBM)电极。复合CBM电极包括覆盖第一金属层的第一扩散阻挡层，以及复合CTM电极包括覆盖第二金属层的第二扩散阻挡层。介电层布置在复合CBM电极上方，并且该介电层位于复合CTM电极的下面。第一和第二扩散阻挡层保护第一和第二金属层免受金属的影响，该金属在制造期间从MIM电容器下面的金属线扩散或移动至复合CTM和CBM电极。本发明还提供了一种制造MIM电容器的方法。 | ||
| 搜索关键词： | 防止 金属 绝缘体 mim 电容器 污染 方法 | ||
【主权项】：
一种包括金属‑绝缘体‑金属(MIM)电容器的半导体结构，所述MIM电容器包括：复合电容器底部金属(CBM)电极，包括覆盖第一金属层的第一扩散阻挡层；介电层，布置在所述复合CBM电极上方；以及复合电容器顶部金属(CTM)电极，布置在所述介电层上方，并且所述CTM电极包括覆盖第二金属层的第二扩散阻挡层。
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