[发明专利]一种具有非晶态缓冲层结构的In0.3Ga0.7As电池及制备方法在审
| 申请号： | 201510736815.0 | 申请日： | 2015-10-30 |
| 公开（公告）号： | CN105355668A | 公开（公告）日： | 2016-02-24 |
| 发明（设计）人： | 李国强;高芳亮;温雷;张曙光 | 申请（专利权）人： | 华南理工大学 |
| 主分类号： | H01L31/0216 | 分类号： | H01L31/0216;H01L31/0725;H01L31/0735;H01L31/18 |
| 代理公司： | 广州市华学知识产权代理有限公司 44245 | 代理人： | 陈文姬 |
| 地址： | 510640 广*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种具有非晶态缓冲层结构的In0.3Ga0.7As电池，由下至上依次包括非晶态缓冲层、太阳电池层；所述非晶态缓冲层组分为InxGa1-xAs，0.4≤X≤0.8；所述非晶态缓冲层的厚度为1-5nm。本发明还公开了上述具有非晶态缓冲层结构的In0.3Ga0.7As电池的制备方法。本发明简化了缓冲层结构，同时简化了外延生长工艺，可严格控制外延层的厚度、组分、掺杂浓度，从而获得表面形貌好、缺陷密度低、晶体质量高的In0.3Ga0.7As材料及单结或多结太阳电池。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 具有 晶态 缓冲 结构 in sub 0.3 ga 0.7 as 电池 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种具有非晶态缓冲层结构的In0.3Ga0.7As电池，其特征在于，由下至上依次包括非晶态缓冲层、太阳电池层；所述非晶态缓冲层组分为InxGa1‑xAs，0.4≤x≤0.8。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
