[发明专利]改善核心器件和输入输出器件性能的方法有效

专利信息
申请号: 201510736925.7 申请日: 2015-11-03
公开(公告)号: CN106653693B 公开(公告)日: 2019-07-02
发明(设计)人: 李勇 申请(专利权)人: 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司
主分类号: H01L21/8238 分类号: H01L21/8238;H01L21/28
代理公司: 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 代理人: 高静;吴敏
地址: 201203 *** 国省代码: 上海;31
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摘要: 一种改善核心器件和输入输出器件性能的方法,包括:提供基底;在核心器件区和输入输出器件区的基底表面形成第一氧化层;在第一氧化层表面形成盖帽层;刻蚀去除位于核心器件区的盖帽层;在输入输出器件区的盖帽层表面以及核心器件区的基底上形成伪栅膜;图形化伪栅膜形成伪栅层;在形成伪栅层之后,在基底上形成覆盖伪栅层侧壁表面的层间介质层;刻蚀去除伪栅层;去除输入输出器件区的盖帽层;在去除盖帽层之后,在核心器件区的基底表面形成第二氧化层,第二氧化层的厚度小于第一氧化层的厚度。本发明提高输入输出器件和核心器件的栅极氧化层完整性,改善了NBTI性能和PBTI性能。
搜索关键词: 改善 核心 器件 输入输出 性能 方法
【主权项】:
1.一种改善核心器件和输入输出器件性能的方法,其特征在于,包括:提供基底,所述基底包括核心器件区和输入输出器件区;在所述核心器件区和输入输出器件区的基底表面形成第一氧化层;在所述第一氧化层表面形成盖帽层;刻蚀去除位于所述核心器件区的盖帽层;在所述输入输出器件区的盖帽层表面以及核心器件区的基底上形成伪栅膜;图形化所述伪栅膜形成伪栅层;在形成所述伪栅层之后,在所述基底上形成覆盖伪栅层侧壁表面的层间介质层;刻蚀去除所述伪栅层;去除所述输入输出器件区的盖帽层;在去除所述输入输出器件区的盖帽层之后,在所述核心器件区的基底表面形成第二氧化层,所述第二氧化层的厚度小于第一氧化层的厚度;在所述核心器件区的第二氧化层表面、以及输入输出器件区的第一氧化层表面形成高k栅介质层;在所述高k栅介质层表面形成栅电极层;在刻蚀去除所述核心器件区的盖帽层之后、形成所述伪栅膜之前,刻蚀去除核心器件区的第一氧化层。
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