[发明专利]改善核心器件和输入输出器件性能的方法有效
申请号: | 201510736925.7 | 申请日: | 2015-11-03 |
公开(公告)号: | CN106653693B | 公开(公告)日: | 2019-07-02 |
发明(设计)人: | 李勇 | 申请(专利权)人: | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司 |
主分类号: | H01L21/8238 | 分类号: | H01L21/8238;H01L21/28 |
代理公司: | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人: | 高静;吴敏 |
地址: | 201203 *** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | 一种改善核心器件和输入输出器件性能的方法,包括:提供基底;在核心器件区和输入输出器件区的基底表面形成第一氧化层;在第一氧化层表面形成盖帽层;刻蚀去除位于核心器件区的盖帽层;在输入输出器件区的盖帽层表面以及核心器件区的基底上形成伪栅膜;图形化伪栅膜形成伪栅层;在形成伪栅层之后,在基底上形成覆盖伪栅层侧壁表面的层间介质层;刻蚀去除伪栅层;去除输入输出器件区的盖帽层;在去除盖帽层之后,在核心器件区的基底表面形成第二氧化层,第二氧化层的厚度小于第一氧化层的厚度。本发明提高输入输出器件和核心器件的栅极氧化层完整性,改善了NBTI性能和PBTI性能。 | ||
搜索关键词: | 改善 核心 器件 输入输出 性能 方法 | ||
【主权项】:
1.一种改善核心器件和输入输出器件性能的方法,其特征在于,包括:提供基底,所述基底包括核心器件区和输入输出器件区;在所述核心器件区和输入输出器件区的基底表面形成第一氧化层;在所述第一氧化层表面形成盖帽层;刻蚀去除位于所述核心器件区的盖帽层;在所述输入输出器件区的盖帽层表面以及核心器件区的基底上形成伪栅膜;图形化所述伪栅膜形成伪栅层;在形成所述伪栅层之后,在所述基底上形成覆盖伪栅层侧壁表面的层间介质层;刻蚀去除所述伪栅层;去除所述输入输出器件区的盖帽层;在去除所述输入输出器件区的盖帽层之后,在所述核心器件区的基底表面形成第二氧化层,所述第二氧化层的厚度小于第一氧化层的厚度;在所述核心器件区的第二氧化层表面、以及输入输出器件区的第一氧化层表面形成高k栅介质层;在所述高k栅介质层表面形成栅电极层;在刻蚀去除所述核心器件区的盖帽层之后、形成所述伪栅膜之前,刻蚀去除核心器件区的第一氧化层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
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H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造