[发明专利]一种快恢复二极管的制备方法

摘要

本发明涉及一种集成门极换流晶闸管配套用快恢复二极管的制备方法，包括如下步骤：1)对N型硅圆片的任意一面进行抛光处理；2)进行铝预沉积，在所述硅圆片抛光面进行硼离子注入，并进行氧化推进工艺，使硅圆片内形成P⁺PNP型纵向结构；3)研磨所述硅圆片的未抛光面，使硅圆片内部形成P⁺PN型纵向结构；4)在所述硅圆片的N型侧进行磷杂质掺杂扩散，使硅圆片内部形成P⁺PNN⁺型纵向结构；5)在所述硅圆片表面蒸发铝层，形成引出电极，进行合金化工艺，使铝、硅间形成欧姆接触；6)在芯片阳极面进行质子辐照；7)将芯片阳极面与钼片键合到一起；8)进行造型，并进行保护处理；9)进行电子辐照。

主权项

1.一种集成门极换流晶闸管配套用快恢复二极管的制备方法，包括如下步骤：1)将N型硅圆片的任意一面进行抛光处理，所述N型硅圆片的抛光面为芯片阳极面；2)进行铝预沉积，在进行铝预沉积之前或之后，在所述硅圆片的抛光面进行硼离子注入，并进行氧化推进工艺，使硅圆片内形成P+PNP型纵向结构；3)研磨所述硅圆片的未抛光面，将所述硅圆片减薄到预设的厚度，使硅圆片内部形成P+PN型纵向结构；4)在所述硅圆片的N型侧进行磷杂质掺杂扩散，使硅圆片内部形成P+PNN+型纵向结构；5)在所述硅圆片表面蒸发铝层，形成引出电极，在所述硅圆片表面蒸发铝层之后，进行合金化工艺，使铝、硅间形成欧姆接触；6)在芯片阳极面进行质子辐照，以调节少子寿命和/或芯片的软度因子S；7)在一定温度、压力下，将芯片阳极面与钼片键合到一起，得到芯片半成品；8)对步骤7)制得的芯片半成品进行造型、进行结终端造型、进行台面造型，并进行保护处理，形成完整的芯片；9)对步骤8)制得的完整的芯片进行电子辐照，得到芯片终产物。