[发明专利]一种提高LED外延晶体质量的外延生长方法在审
| 申请号： | 201510738081.X | 申请日： | 2015-11-03 |
| 公开（公告）号： | CN105261683A | 公开（公告）日： | 2016-01-20 |
| 发明（设计）人： | 张宇;苗振林 | 申请（专利权）人： | 湘能华磊光电股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/12 | 分类号： | H01L33/12;H01L33/00 |
| 代理公司： | 北京爱普纳杰专利代理事务所(特殊普通合伙) 11419 | 代理人： | 何自刚 |
| 地址： | 423038 湖南省郴*** | 国省代码： | 湖南;43 |
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| 摘要： | 本申请公开了一种提高LED外延晶体质量的外延生长方法，包括步骤：放入AlN衬底，保持反应腔压力100-200mbar，通入流量为10000-20000sccm的NH3、100-130L/min的H2，反应腔温度升高到900-1000℃；生长第一U型渐变GaN层；生长第二U型渐变GaN层；生长不掺杂Si的N型GaN层；生长第一掺杂Si的N型GaN层；生长第二掺杂Si的N型GaN层；生长发光层；生长掺杂Mg、Al的P型AlGaN层；生长高温掺杂Mg的P型GaN层；最后降温至650-680℃，保温20-30min，接着关闭加热系统、关闭给气系统，随炉冷却。本发明采用了AlN基板高温渐变GaN的生长方法，该方法有效地的解决了AlN到GaN材料的过渡，生长的GaN晶体质量得到提升。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 提高 led 外延 晶体 质量 生长 方法 | ||
【主权项】：
一种提高LED外延晶体质量的外延生长方法，其特征在于，包括步骤：放入AlN衬底，保持反应腔压力100‑200mbar，通入流量为10000‑20000sccm的NH3、100‑130L/min的H2，反应腔温度升高到900‑1000℃；生长第一U型渐变GaN层：通入流量为30000‑40000sccm的NH3、100‑130L/min的H2，反应腔温度到900‑1000℃渐变至1000‑1100℃，同时反应腔压力从100‑150mbar渐变至600‑700mbar，同时通入TMGa从50‑70sccm渐变至200‑250sccm，压力、温度、TMGa同时渐变，且渐变的时间为120‑150s；生长第二U型渐变GaN层：通入流量为30000‑40000sccm的NH3、100‑130L/min的H2，反应腔温度到1100‑1200℃渐变至1200‑1350℃，同时反应腔压力维持稳定600‑700mbar，同时通入TMGa从200‑250sccm渐变至300‑400sccm，温度、TMGa同时渐变，且渐变的时间为900‑1000s；生长不掺杂Si的N型GaN层；生长第一掺杂Si的N型GaN层；生长第二掺杂Si的N型GaN层；生长发光层；生长掺杂Mg、Al的P型AlGaN层；生长高温掺杂Mg的P型GaN层；最后降温至650‑680℃，保温20‑30min，接着关闭加热系统、关闭给气系统，随炉冷却。
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