[发明专利]半导体装置和用于半导体装置的制造方法有效
| 申请号： | 201510738180.8 | 申请日： | 2015-11-03 |
| 公开（公告）号： | CN105575937B | 公开（公告）日： | 2018-06-12 |
| 发明（设计）人： | 门口卓矢 | 申请（专利权）人： | 丰田自动车株式会社 |
| 主分类号： | H01L23/492 | 分类号： | H01L23/492;H01L21/48;H01L21/60 |
| 代理公司： | 北京金信知识产权代理有限公司 11225 | 代理人： | 黄威;邓玉婷 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 半导体装置(2)包括第一和第二半导体元件(3、5)和第一和第二导电构件(10、29)。第一半导体元件上的第一电极(3a)通过第一接合层(8a)接合至所述第一导电构件的第一堆叠部(12)。第二半导体元件上的第二电极(5b)通过第二接合层(8f)接合至所述第二导电构件的第二堆叠部(25)。所述第一导电构件的第一接头部(13)通过中间接合层(8g)接合至所述第二导电构件的第二接头部(26)。所述第一接头部的面向所述第二接头部的第一表面、所述第一接头部的与所述第一表面连续的侧表面、所述第二接头部的面向所述第一接头部的第二表面以及所述第二接头部的与所述第二表面连续的侧表面被镍层(19a、19b)覆盖。 | ||
| 搜索关键词： | 接头部 导电构件 半导体元件 半导体装置 接合 第二表面 第一表面 侧表面 堆叠部 接合层 中间接合层 第二电极 第一电极 镍层 覆盖 制造 | ||
【主权项】：
一种半导体装置，其中第一半导体元件和第二半导体元件通过第一导电构件和第二导电构件彼此电连接，第一电极布置于所述第一半导体元件的表面上，第二电极布置于所述第二半导体元件的表面上，所述第一导电构件具有堆叠至所述第一半导体元件以面向所述第一电极的第一堆叠部以及从所述第一堆叠部延伸的第一接头部，所述第二导电构件具有堆叠至所述第二半导体元件以面向所述第二电极的第二堆叠部以及第二接头部，所述第二接头部从所述第二堆叠部延伸并面向所述第一接头部，所述第一电极和所述第一堆叠部通过第一接合层接合至彼此，所述第二电极和所述第二堆叠部通过第二接合层接合至彼此，所述第一接头部和所述第二接头部通过中间接合层接合至彼此，当从垂直于所述中间接合层的接合表面的方向看时，所述中间接合层的面积小于所述第一接合层的面积并小于所述第二接合层的面积，以及所述半导体装置的特征在于所述第一接头部的面向所述第二接头部的第一表面、所述第一接头部的与所述第一表面连续的侧表面、所述第二接头部的面向所述第一接头部的第二表面以及所述第二接头部的与所述第二表面连续的侧表面被镍层覆盖。
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