[发明专利]一种晶体硅基太阳电池用的高方阻掺杂晶硅层的制备方法

摘要

本发明为一种晶体硅基太阳电池用的高方阻掺杂晶硅层的制备方法。其基本工艺步骤为采用低温化学气相沉积法沉积一层重掺杂硅基薄膜作为扩散源，然后采用连续式扩散炉进行气氛保护热处理，去除表面多余物质后获得所需高方阻晶硅层。通过本技术路线的实施，可获得均匀性±5%，重复性±2%以内的，方阻在98Ω/□以上的适合p型和n型晶体硅基太阳电池作为发射极或背场使用的p型或n型晶硅层。相比现行工艺，可提高晶体硅太阳电池转换效率0.5%以上。

主权项

一种晶体硅基太阳电池用的高方阻掺杂晶硅层的制备方法，其特征是包括以下步骤：第一步，扩散源的沉积：在晶体硅片需要形成掺杂晶硅层的一面，采用低温化学气相沉积的方法沉积重掺杂的硅基薄膜作为扩散源；第二步，扩散：采用连续扩散炉设定控温曲线，对完成扩散源沉积的硅片进行加热扩散处理；第三步，后处理：根据最终器件结构和配套工艺的需要对热处理过的硅片进行处理。