[发明专利]半导体装置及半导体装置的制造方法有效
| 申请号： | 201510740559.2 | 申请日： | 2015-11-04 |
| 公开（公告）号： | CN105575890B | 公开（公告）日： | 2020-02-21 |
| 发明（设计）人： | 芦立浩明;谷田一真 | 申请（专利权）人： | 东芝存储器株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768 |
| 代理公司： | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人： | 张世俊 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明的实施方式是涉及半导体装置及半导体装置的制造方法，该半导体装置包括低黏接性膜、一对基板、及金属电极。低黏接性膜相较于半导体氧化膜而对金属的黏接性更低。一对基板隔着低黏接性膜而设置。金属电极贯通低黏接性膜而连接一对基板，且于一对基板之间具有较埋设于一对基板的部位更细的部位。埋设于一基板的金属电极的一部分在与另一基板上的低黏接性膜之间隔着空隙而设置。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体装置，其特征在于包括：低黏接性膜，相较于半导体氧化膜而对金属的黏接性更低；一对基板，隔着所述低黏接性膜而设置；及金属电极，贯通所述低黏接性膜而连接所述一对基板，且在所述一对基板之间具有较埋设于所述一对基板的部位更细的部位；且埋设于一所述基板的所述金属电极的一部分，在与另一所述基板上的所述低黏接性膜之间隔着空隙而设置。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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