[发明专利]一种逆导IGBT的制备方法

摘要

本发明公开了一种逆导IGBT的制备方法，属于半导体功率器件技术领域，解决了传统的制备方法工艺难度大，生产效率低的技术问题。该方法包括：形成位于衬底内的第一导电类型的缓冲层、位于所述衬底背面的掺有第二导电类型离子的第一电介质层图形和覆盖在所述第一电介质层图形上的掺有第一导电类型离子的第二电介质层；在所述衬底正面形成所述逆导IGBT正面结构，形成所述正面结构的过程中包括：热处理过程，所述热处理过程使得所述缓冲层在所述衬底中完成推进，所述第一电介质层图形中的第二导电类型离子扩散入所述衬底中形成第二导电类型区域，所述第二电介质层中的第一导电类型离子扩散入所述衬底中形成第一导电类型区域；在所述衬底背面形成金属层。

主权项

1.一种逆导IGBT的制备方法，其特征在于，包括：形成位于衬底内的第一导电类型的缓冲层、位于所述衬底背面的掺有第二导电类型离子的第一电介质层图形和覆盖在所述第一电介质层图形上的掺有第一导电类型离子的第二电介质层；在所述衬底正面形成所述逆导IGBT正面结构，形成所述正面结构的过程中包括：热处理过程，所述热处理过程使得所述缓冲层在所述衬底中完成推进，所述第一电介质层图形中的第二导电类型离子扩散入所述衬底中形成第二导电类型区域，所述第二电介质层中的第一导电类型离子扩散入所述衬底中形成第一导电类型区域；在所述衬底背面形成金属层；其中，在形成第一电介质图形的步骤中包括：在所述衬底背面沉积形成第一电介质层，并在沉积时对所述第一电介质层进行第二导电类型的杂质掺杂；在所述第一电介质层上涂敷光刻胶，并利用掩膜版进行曝光；对所述电介质层进行刻蚀，形成所述第一电介质层图形，所述第一电介质层图形包括：保留部分和窗口部分，所述保留部分为刻蚀后剩下的第一电介质层，所述窗口部分为刻蚀掉的第一电介质层留出的暴露出衬底的区域；剥离剩余的光刻胶。