[发明专利]一种Ta3N5光电极及其制备方法

摘要

本发明涉及在金属钽片上制备Ta3N5电极的方法。采用直接高温快速焙烧方法在Ta基底原位制备高结晶度的Ta2O5前驱薄膜。该Ta2O5前驱薄膜经高温氮化，获得以Ta3N5为光吸收层，Ta5N6，Ta2N和Ta叠层作为导电基底的光电极。不同于已公开报道的其他制备方法，该方法所得Ta3N5薄膜具有高致密度和结晶度，与导电基底接触紧密，具备优异的机械强度。此外Ta2O5前驱薄膜的制备过程快捷，有利于Ta3N5光电极的批量制备。此光电极可用于光电化学水分解制氢气、二氧化碳还原以及光催化降解有机物等用途。

主权项

一种Ta3N5光电极，其特征在于：以钽片为基底，于基底表面从内至外依次制备有Ta2N层、Ta5N6层、Ta3N5表层构成光电极；Ta2N层靠近基底。