[发明专利]一种铜锌锡硫硒薄膜太阳能电池及其制备方法

摘要

本发明公开了一种铜锌锡硫硒薄膜太阳能电池及其制备方法。该太阳能电池包括依次层叠的衬底、背电极层、铜锌锡硫硒吸收层、缓冲层、透明导电氧化物层及顶电极，所述缓冲层由(Zn1-xMgx)O制成，其中0.1≤x≤0.25，其厚度为50nm-80nm。所述太阳能电池中的各层均采用磁控溅射技术制备。本发明采用(Zn1-xMgx)O缓冲层替换铜锌锡硫硒薄膜电池常用的CdS缓冲层和本征ZnO层，具备以下优点1)通过调节(Zn1-xMgx)O中的Zn/Mg，可以优化铜锌锡硫硒/缓冲层界面处的导带边失调值，提高电池的开路电压；2)避免了CdS中的有毒元素Cd，利于电池大规模应用；3)简化了电池制备工艺。

主权项

一种铜锌锡硫硒薄膜太阳能电池，其特征在于，包括依次层叠的衬底、背电极层、铜锌锡硫硒吸收层、缓冲层、透明导电氧化物层及顶电极，所述缓冲层由(Zn1‑xMgx)O制成，其中0.1≤x≤0.25。