[发明专利]一种具有全方位电流扩展路径的沟槽MOSFET有效
| 申请号： | 201510742176.9 | 申请日： | 2015-11-04 |
| 公开（公告）号： | CN105405889B | 公开（公告）日： | 2019-01-08 |
| 发明（设计）人： | 丁艳;王立新;张彦飞;孙博韬 | 申请（专利权）人： | 中国科学院微电子研究所 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/423 |
| 代理公司： | 北京汇泽知识产权代理有限公司 11228 | 代理人： | 张瑾 |
| 地址： | 100029 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种具有全方位电流扩展路径的沟槽MOSFET，包括：衬底101；覆盖在衬底101内的第一结构层102；覆盖在第一结构层102内的第二结构层103；覆盖在第二结构层103内的第三结构层104；位于第三结构层104顶部的源接触孔108；横跨在第三结构层104、第二结构层103、第一结构层102上方的沟槽109；横跨在第三结构层104、第二结构层103、第一结构层102上方，位于沟槽109内的多晶硅栅极106；位于多晶硅栅极106外侧侧壁和底部的栅介质层105；位于多晶硅栅极106顶部的栅接触孔107；由衬底101、第一结构层102、第二结构层103、第三结构层104形成的上表面层110；其中，所述衬底101、第一结构层102、第三结构层104为第一导电类型，所述第二结构层103为第二导电类型。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 具有 全方位 电流 扩展 路径 沟槽 mosfet | ||
【主权项】：
1.一种具有全方位电流扩展路径的沟槽MOSFET，其特征在于，包括：衬底(101)；覆盖在衬底(101)内的第一结构层(102)；覆盖在第一结构层(102)内的第二结构层(103)；覆盖在第二结构层(103)内的第三结构层(104)；位于第三结构层(104)顶部的源接触孔(108)；横跨在第三结构层(104)、第二结构层(103)、第一结构层(102)上方的沟槽(109)；横跨在第三结构层(104)、第二结构层(103)、第一结构层(102)上方，位于沟槽(109)内的多晶硅栅极(106)；位于多晶硅栅极(106)外侧侧壁和底部的栅介质层(105)；位于多晶硅栅极(106)顶部的栅接触孔(107)；由衬底(101)、第一结构层(102)、第二结构层(103)、第三结构层(104)形成的上表面层(110)，所述上表面层(110)具有水平导电沟道，以将电流从所述第三结构层(104)水平传导至所述衬底(101)；其中，所述衬底(101)、第一结构层(102)、第三结构层(104)为第一导电类型，所述第二结构层(103)为第二导电类型，所述衬底(101)通过外延刻蚀后形成，所述第一结构层(102)、第二结构层(103)、第三结构层(104)均通过外延形成。
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