[发明专利]一种复式双连续相SiC/Si复合材料的制备方法

摘要

本发明公开了一种复式双连续相SiC/Si复合材料的制备方法。首先，将氧化铁和SiC原料按照不同氧化铁添加量进行湿法混料，随后采用旋转蒸发仪进行干燥；将干燥后的粉体加入PVA进行造粒，干压成型后进行烧结获得不同气孔率定向多孔陶瓷。随后采用获得的定向多孔SiC陶瓷作为增强体，利用真空浸渗工艺制备复式双连续相SiC/Si复合材料。本发明采用氧化铁作为造孔剂制备定向多孔陶瓷为纯SiC陶瓷，具有结构定向分布特征，较为优异的高温性能，较高的孔筋密度和抗折强度，因而最终制备的复式双连续相SiC/Si复合材料较高的孔筋密度和抗折强度，大大优于应用于装甲材料的反应烧结法制备的SiC/Si复合材料，具有较好地应用前景。

主权项

一种复式双连续相SiC/Si复合材料的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：步骤一：将粒度为240～400目的硅粉作为造孔剂加入SiC粉料中得到混合物A，然后加入酒精，混合物A和酒精的质量比为1:3，随后采用球磨机进行混料，混料结束后进行干燥得到混合物B；步骤二：向步骤一得到的混合物B中加入PVA水溶液，混匀过120目筛后进行造粒；随后进行干压成型得到坯体，坯体干燥后在惰性环境下进行高温烧结，得到定向多孔SiC陶瓷；步骤三：以步骤二得到的定向多孔SiC陶瓷作为增强体，以硅粒为金属渗透相，进行高温真空浸渗工艺，即得到复式双连续相SiC/Si复合材料。