[发明专利]一种植入式芯片的封装结构及其制备方法有效
| 申请号： | 201510742481.8 | 申请日： | 2015-11-04 |
| 公开（公告）号： | CN106653702B | 公开（公告）日： | 2019-03-01 |
| 发明（设计）人： | 杨扬;唐永炳;李刚 | 申请（专利权）人： | 中国科学院深圳先进技术研究院 |
| 主分类号： | H01L23/31 | 分类号： | H01L23/31;H01L23/29;H01L21/56 |
| 代理公司： | 深圳中一专利商标事务所 44237 | 代理人： | 张全文 |
| 地址： | 518000 广东省深圳*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种植入式芯片的封装结构及其制备方法。所述植入式芯片的封装结构，包括基底、以及贯穿所述基底的多个通孔，所述基底表面、所述通孔壁面均设置有金刚石层，所述金刚石层包覆的所述通孔内设置有电极引线，所述电极引线的上下表面分别依次设置过渡金属层和保护层，且相邻的所述电极引线上的所述过渡金属层和所述保护层互不相连，其中，所述保护层为掺杂金刚石层。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 植入 芯片 封装 结构 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.一种植入式芯片的封装结构，其特征在于，包括基底、以及贯穿所述基底的多个通孔，所述基底表面、所述通孔壁面均设置有金刚石层，所述金刚石层包覆的所述通孔内设置有电极引线，所述电极引线的上下表面分别依次设置过渡金属层和保护层，且相邻的所述电极引线上的所述过渡金属层和所述保护层互不相连，其中，所述保护层为掺杂金刚石层。
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