[发明专利]用于形成浮雕图像的方法在审
| 申请号： | 201510742670.5 | 申请日： | 2015-11-05 |
| 公开（公告）号： | CN105589299A | 公开（公告）日： | 2016-05-18 |
| 发明（设计）人： | P·特雷福纳斯;P·汉斯塔德;J·C·泰勒;J·J·张 | 申请（专利权）人： | 罗门哈斯电子材料有限责任公司;陶氏环球技术有限责任公司 |
| 主分类号： | G03F7/16 | 分类号： | G03F7/16 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人： | 陈哲锋;胡嘉倩 |
| 地址： | 美国马*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 在优选方面，提供用于形成浮雕图像的方法，其包括：a)提供包含在待图案化的层上的经图案化掩模的半导体衬底；b)在所述掩模上涂覆第一组合物的层，其中所述组合物包括聚合物且将所述层涂布于所述掩模的侧壁上；c)按邻近所述掩模的所述经涂布侧壁的量在所述半导体衬底上涂覆第二组合物的层；和d)从所述掩模的所述侧壁去除所述第一组合物，由此暴露待图案化的所述层且在所述掩模侧壁与所述第二组合物层之间形成间隙以提供浮雕图像。所述方法在半导体装置制造中发现有特定适用性。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 形成 浮雕 图像 方法 | ||
【主权项】：
一种用于形成浮雕图像的方法，包括：a)提供包括在待图案化的层上的经图案化掩模的半导体衬底；b)在所述掩模上涂覆第一组合物的层，其中所述组合物包括聚合物且将所述层涂布于所述掩模的侧壁上；c)按邻近所述掩模的所述经涂布侧壁的量在所述半导体衬底上涂覆第二组合物的层；和d)自所述掩模的所述侧壁去除所述第一组合物，由此暴露待图案化的所述层且在所述掩模侧壁与所述第二组合物层之间形成间隙以提供浮雕图像。
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