[发明专利]一种基于离子刻蚀制备表面拉曼增强活性基底的方法在审
| 申请号： | 201510743028.9 | 申请日： | 2015-11-03 |
| 公开（公告）号： | CN105424674A | 公开（公告）日： | 2016-03-23 |
| 发明（设计）人： | 张璋;亢梦洋 | 申请（专利权）人： | 华南师范大学 |
| 主分类号： | G01N21/65 | 分类号： | G01N21/65 |
| 代理公司： | 北京和信华成知识产权代理事务所(普通合伙) 11390 | 代理人： | 胡剑辉 |
| 地址： | 510631 广*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明实施例提供一种基于离子刻蚀制备表面拉曼增强活性基底的方法，所述方法包括：制备阳极氧化铝AAO模板；将AAO模板转移至清洗后的硅片上；将硅片样品转移至快速热处理炉RTP腔体中进行退火，高温去除AAO孔里的聚苯乙烯PS；将硅片样品转移至离子刻蚀反应腔的真空腔体中，通入源气体氩气进行刻蚀，形成有序的纳米碗状阵列结构；将形成纳米碗状阵列结构的硅片样品于所述离子刻蚀反应腔中取出，通过热蒸发镀膜系统在所述纳米结构的表面再热蒸镀预置厚度的银膜，即得到表面拉曼增强活性基底。上述技术方案使制备的活性衬底具有极高的SERS增强和灵敏度，制备工艺简单，重复性好。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 基于 离子 刻蚀 制备 表面 增强 活性 基底 方法 | ||
【主权项】：
一种基于离子刻蚀制备表面拉曼增强活性基底的方法，其特征在于，所述基于离子刻蚀制备表面拉曼增强活性基底的方法包括：制备阳极氧化铝AAO模板；将AAO模板转移至清洗后的硅片上；将硅片样品转移至快速热处理炉RTP腔体中进行退火，高温去除AAO孔里的聚苯乙烯PS；将硅片样品转移至离子刻蚀反应腔的真空腔体中，通入源气体氩气进行刻蚀，形成有序的纳米碗状阵列结构；将形成纳米碗状阵列结构的硅片样品于所述离子刻蚀反应腔中取出，通过热蒸发镀膜系统在所述纳米结构的表面再热蒸镀预置厚度的银膜，即得到表面拉曼增强活性基底。
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