[发明专利]过电压保护系统和方法有效

专利信息
申请号: 201510743113.5 申请日: 2015-11-05
公开(公告)号: CN105576600B 公开(公告)日: 2019-09-24
发明(设计)人: S.池;东栋;赖日新 申请(专利权)人: 通用电气公司
主分类号: H02H3/20 分类号: H02H3/20
代理公司: 中国专利代理(香港)有限公司 72001 代理人: 叶晓勇;姜甜
地址: 美国*** 国省代码: 美国;US
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摘要: 发明题为过电压保护系统和方法。过电压保护系统包括跨电路的两个端子而连接的电子阀以及跨多个半导体装置中的一个而连接用于检测跨电路的过电压的过电压检测电路。电子阀包括串联连接的多个半导体装置。过电压检测电路包括:分压器电路,按照向转折二极管提供代表性低电压的方式连接到转折二极管;以及光耦合器,配置成当代表性低电压超过转折二极管的阈值电压时接收来自转折二极管的电流从而指示过电压状况。提供给转折二极管的代表性低电压表示跨一个半导体装置的电压。多个自供电门极驱动电路连接到多个半导体装置,其中多个自供电门极驱动电路在过电压状况期间接收来自光耦合器的过电压触发脉冲,并且接通多个半导体装置以旁路该电路。
搜索关键词: 过电压 保护 系统 方法
【主权项】:
1.一种过电压保护系统(60),包括:跨电路的两个端子而连接的电子阀(62),所述电子阀具有串联连接的多个半导体装置;过电压检测电路(64),跨所述多个半导体装置中的一个而连接,用于检测跨所述多个半导体装置中的一个的过电压,所述过电压检测电路包括:分压器电路(65),按照向转折二极管(B1)提供代表性低电压的方式连接到所述转折二极管,所述代表性低电压表示跨所述一个半导体装置的电压;光耦合器(U1),配置成当所述代表性低电压超过所述转折二极管的阈值电压从而指示过电压状况时接收来自所述转折二极管的电流;以及连接到所述多个半导体装置的多个自供电门极驱动电路(80),其中所述多个自供电门极驱动电路在所述过电压状况期间接收来自所述光耦合器的过电压触发脉冲,并且接通所述多个半导体装置以旁路跨所述电路的所述两个端子连接的负载电路。
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