[发明专利]半导体器件有效
申请号: | 201510744361.1 | 申请日: | 2015-11-05 |
公开(公告)号: | CN106257658A | 公开(公告)日: | 2016-12-28 |
发明(设计)人: | 施信益;施能泰;姜序 | 申请(专利权)人: | 华亚科技股份有限公司 |
主分类号: | H01L23/485 | 分类号: | H01L23/485;H01L23/488 |
代理公司: | 深圳新创友知识产权代理有限公司44223 | 代理人: | 江耀纯 |
地址: | 中国台湾*** | 国省代码: | 台湾;71 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明涉及一半导体器件,包括一中介层,具有一第一面及相对于第一面的第二面,其中所述中介层包括一重分布层,所述重分布层包括一位于所述第一面的第一钝化层与一位于所述第二面的第二钝化层;至少一芯片,通过多个贯穿所述第一钝化层的第一凸块安装在所述第一面的所述第一钝化层上;一模塑料,设置在所述第一面上,覆盖住所述芯片与所述第一钝化层的上表面;以及多个焊接凸块,设置在所述第二面的所述第二钝化层上。 | ||
搜索关键词: | 半导体器件 | ||
【主权项】:
一半导体器件,其特征在于,包括:一中介层,具有一第一面及相对于第一面的第二面,其中所述中介层包括一重分布层,所述重分布层包括一位于所述第一面的第一钝化层与一位于所述第二面的第二钝化层;至少一芯片,通过多个贯穿所述第一钝化层的第一凸块安装在所述第一面的所述第一钝化层上;一模塑料,设置在所述第一面上,覆盖住所述芯片与所述第一钝化层的上表面;以及多个焊接凸块,设置在所述第二面的所述第二钝化层上。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于华亚科技股份有限公司,未经华亚科技股份有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201510744361.1/,转载请声明来源钻瓜专利网。