[发明专利]半导体器件及半导体器件的制造方法有效
| 申请号： | 201510744833.3 | 申请日： | 2015-11-05 |
| 公开（公告）号： | CN105679729B | 公开（公告）日： | 2018-06-19 |
| 发明（设计）人： | 西村武义 | 申请（专利权）人： | 富士电机株式会社 |
| 主分类号： | H01L23/482 | 分类号： | H01L23/482;H01L21/60 |
| 代理公司： | 北京尚诚知识产权代理有限公司 11322 | 代理人： | 龙淳;杨艺 |
| 地址： | 日本神奈川*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供一种半导体器件，其能够抑制因对半导体器件的电极膜的表面进行引线接合时的应力和受热历程而产生的栅极阈值电压的劣化。半导体器件中，作为接合用的电极膜，具有设置于半导体芯片上的、颗粒51j‑2、51j‑1、51j、51j+1、51j+2、……的粒径大致为金属膜1a的厚度d以上的粒径的金属膜1a。 1 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 电极膜 金属膜 粒径 栅极阈值电压 半导体芯片 受热历程 引线接合 接合 劣化 制造 | ||
【主权项】：
1.一种半导体器件，其特征在于：作为接合用的电极膜，具有设置于半导体芯片上的、颗粒的粒径大致为金属膜的厚度以上的粒径的金属膜，以维氏硬度计，所述金属膜的硬度为接合用的引线的硬度的70％以上，所述金属膜含有硅，在所述金属膜的接合所述引线的一侧的相反侧的面还具有抑制所述金属膜中的硅结节的成长的阻挡金属层。
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