[发明专利]在FINFET器件上形成替代栅极结构的方法及其得到的器件

摘要

本发明涉及一种在FINFET器件上形成替代栅极结构的方法及其得到的器件。其中，本发明揭露一种方法包括，除其他方法之外，形成具有上表面及多个侧表面的鳍部，形成包括具有密度小于1.8克/立方厘米的低密度氧化材料且与该鳍部的该上表面及该测表面相接触，以及位于该低密度氧化材料的该上表面上并与其相接触的牺牲栅极材料的牺牲栅极结构，并且形成侧壁间隔件相邻于该牺牲栅极结构。该方法更包括去除该牺牲栅极材料，以便从而暴露出该低密度氧化材料以定义替代栅极孔，并且在该替代栅极孔中形成替代栅极结构。

主权项

一种在鳍式场效晶体管器件形成替代栅极结构的方法，其特征在于，该方法包括:在半导体衬底中形成多个沟槽，以便定义具有上表面及多个侧表面的鳍部；形成牺牲栅极结构，该牺牲栅极结构包括:具有密度小于1.8克/立方厘米的低密度氧化材料，位于该多个沟槽中，并与该鳍部的该上表面和该侧表面接触，该低密度氧化材料具有基本上是平坦的上表面，且其所在高度要高于该鳍部的该上表面的高度；以及牺牲栅极材料，位于该低密度氧化材料的该上表面上并与其相接触；形成侧壁间隔件，相邻于包括该牺牲栅极材料及该低密度氧化材料的该牺牲栅极结构；执行第一蚀刻工艺以去除该牺牲栅极材料，以便由此暴露该低密度氧化材料，该低密度氧化材料于整个该第一蚀刻工艺中维持在该鳍部的该上表面和该侧表面上的位置；去除该暴露出的低密度氧化材料以便定义替代栅极孔，且从而暴露出于该替代栅极孔内的该鳍部的该上表面和该侧表面；以及在该替代栅极孔中该鳍部的该暴露出的上表面和该侧表面周围形成替代栅极结构。