[发明专利]具有栅极结构的半导体元件及其制造方法有效
| 申请号： | 201510746513.1 | 申请日： | 2015-11-05 |
| 公开（公告）号： | CN106531777B | 公开（公告）日： | 2019-12-24 |
| 发明（设计）人： | 简郁芩;詹景琳;林正基 | 申请（专利权）人： | 旺宏电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L29/739;H01L21/331 |
| 代理公司： | 11021 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人： | 曹玲柱 |
| 地址： | 中国台湾新竹*** | 国省代码： | 中国台湾;TW |
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| 摘要： | 本发明提供了一种具有栅极结构的半导体元件及其制作方法。该半导体元件，包括一基板、一高压阱、一高压掺杂区、一漏极区、一源极区、一第一栅极结构及一第二栅极结构。基板具有第一导电型。高压阱具有第二导电型且配置于基板中。高压掺杂区具有第一导电型且配置于高压阱中。漏极区配置于高压阱中且与高压掺杂区隔开。源极区配置于高压掺杂区中。第一栅极结构配置于高压掺杂区的第一侧部分上，位于源极区与漏极区之间。第二栅极结构配置于高压掺杂区的第二侧部分上，第二侧部分相对于第一侧部分。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 栅极 结构 半导体 元件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体元件，其特征在于，包括：/n一基板，具有一第一导电型；/n一高压阱，具有一第二导电型且配置于该基板中；/n一高压掺杂区，具有该第一导电型且配置于该高压阱中；/n一漏极区，配置于该高压阱中且与该高压掺杂区隔开；/n一源极区，配置于该高压掺杂区中；/n一第一栅极结构，配置于该高压掺杂区的一第一侧部分上，位于该源极区与该漏极区之间；以及/n一第二栅极结构，配置于该高压掺杂区的一第二侧部分上，该第二侧部分相对于该第一侧部分；/n其中该第一栅极结构包括一第一栅极层及一第一栅极氧化物层，且该第二栅极结构包括一第二栅极层及一第二栅极氧化物层，该第一栅极氧化物层的厚度大于该第二栅极氧化物层的厚度；第一栅极层配置于第一栅极氧化物层之上，第二栅极层配置于第二栅极氧化物层之上。/n
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