[发明专利]包括带电荷掺杂剂源层的半导体器件及其制造方法有效
| 申请号： | 201510746631.2 | 申请日： | 2015-11-05 |
| 公开（公告）号： | CN105304718B | 公开（公告）日： | 2018-06-12 |
| 发明（设计）人： | 魏星;朱慧珑 | 申请（专利权）人： | 中国科学院微电子研究所 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L21/336;H01L21/225 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 倪斌 |
| 地址： | 100029 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 公开了包括带电荷掺杂剂源层的半导体器件及其制造方法。根据实施例，半导体器件可以包括：在衬底上形成的鳍状结构；在衬底上形成的隔离层，其中鳍状结构在隔离层上方的部分充当该半导体器件的鳍；在鳍状结构位于鳍下方的部分的侧壁上形成的带净电荷的掺杂剂源层；在鳍状结构位于鳍下方的部分中形成的穿通阻止层；以及在隔离层上形成的与鳍相交的栅堆叠。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 鳍状结构 隔离层 电荷掺杂 衬底 源层 掺杂剂源 净电荷 栅堆叠 阻止层 侧壁 穿通 相交 制造 | ||
【主权项】：
一种半导体器件，包括：在衬底上形成的鳍状结构；在衬底上形成的隔离层，其中鳍状结构在隔离层上方的部分充当该半导体器件的鳍；在鳍状结构位于鳍下方的部分的侧壁上形成的带净电荷的掺杂剂源层；在鳍状结构位于鳍下方的部分中形成的穿通阻止层；以及在隔离层上形成的与鳍相交的栅堆叠。
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