[发明专利]复合纳米异质结薄膜材料及复合异质结太阳电池制备方法

摘要

本发明公开了一种复合纳米异质结薄膜材料及复合异质结太阳电池制备方法，所述复合纳米异质结薄膜材料制备方法中的复合纳米异质结薄膜材料包括基底、液相生长在基底上的n型ZnO 纳米棒阵列薄膜和采用连续离子沉积法在ZnO 纳米棒阵列间隙中填充ZnS薄膜，是采用ZnS薄膜填充到空隙，再用电化学沉积法把Cu₂O沉积在ZnO或ZnS纳米棒表面。本发明在ZnO纳米棒阵列空隙中填充ZnS，再用电化学沉积技术将Cu₂O沉积在ZnO或ZnS纳米棒表面形成ZnO/ZnS/Cu₂O复合异质结薄膜材料及其制备太阳电池的方法，采用本方法制得的电池成本低，制备简单，电池性能好。

主权项

一种复合纳米异质结薄膜材料制备方法，其特征在于，所述复合纳米异质结薄膜材料制备方法中的复合纳米异质结薄膜材料包括基底、液相生长在基底上的 n 型ZnO 纳米棒阵列薄膜和采用连续离子沉积法在ZnO 纳米棒阵列间隙中填充ZnS 薄膜，是采用ZnS薄膜填充到空隙，再用电化学沉积法把Cu₂O沉积在ZnO或ZnS 纳米棒表面，具体过程包括以下步骤 ：步骤一，将制备好的ZnO纳米棒阵列放入Zn(NO₃)₂溶液中放置沉积，然后用去离子水冲洗；再放入Na₂S溶液中放置沉积，然后用去离子水冲洗；循环周期为15次，ZnS自下而上充分填充到纳米棒阵列的空隙中形成了ZnO /ZnS复合纳米薄膜；步骤二，以碱性铜盐溶液为电解液，在 ‑0. 4 ~ 0. 6V 的沉积电位下沉积70‑150s，将p型Cu₂O 电化学沉积在ZnO或ZnS 纳米棒表面，实现p型Cu₂O半导体对ZnO或ZnS  纳米棒的保形覆盖，形成ZnO/ZnS/Cu₂O。