[发明专利]一种MOCVD气体喷淋头预处理方法有效
申请号: | 201510747873.3 | 申请日: | 2015-11-06 |
公开(公告)号: | CN106676499B | 公开(公告)日: | 2020-07-03 |
发明(设计)人: | 刘英斌;杜志游 | 申请(专利权)人: | 中微半导体设备(上海)股份有限公司 |
主分类号: | C23C16/455 | 分类号: | C23C16/455 |
代理公司: | 上海信好专利代理事务所(普通合伙) 31249 | 代理人: | 朱成之 |
地址: | 201201 上海市浦东新*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | 一种对MOCVD气体喷淋头气体喷淋头预处理的方法,包括提供一反应腔,位于反应腔底部的抽气系统和固定在反应腔顶部的气体喷淋头,所述气体喷淋头内包括位于底部的冷却板和位于顶部的进气管道系统,处理步骤包括向反应腔内充入高压的预处理气体‑排出预处理气体‑充入空气‑排出空气等多个步骤,循环执行上述步骤直到完成对反应腔内气体喷淋头及其它暴露部件的预处理。 | ||
搜索关键词: | 一种 mocvd 气体 喷淋 预处理 方法 | ||
【主权项】:
一种MOCVD气体喷淋头预处理方法,包括:提供一反应腔,位于反应腔底部的抽气系统用于排出反应腔内的气体,固定在反应腔顶部的气体喷淋头,所述气体喷淋头内包括位于底部的冷却板和位于顶部的进气管道系统,其中冷却板内包括多条冷却管道,其中进气管道系统连接到一个预处理气体源和一个空气进气口,提供一个加热装置,加热所述气体喷淋头使得气体喷淋头温度大于80度;A1.通过进气管道系统输送预处理气体到所述反应腔,直到反应腔内气压大于400托,维持第一时间段;A2.通过抽气系统排出反应腔内的预处理气体;B1.通过进气管道系统输送空气到所述反应腔,直到反应腔内气压达到大气压力,维持第二时间段;B2.通过抽气系统排出反应腔内的空气;循环执行所述步骤A和B,直到完成对气体喷淋头的预处理。
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C23 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面化学处理;金属材料的扩散处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆;金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
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C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的