[发明专利]基板及其制造方法有效
申请号: | 201510747931.2 | 申请日: | 2015-11-06 |
公开(公告)号: | CN105873371B | 公开(公告)日: | 2019-11-01 |
发明(设计)人: | 吴香兰;王志建;白四平;杨志刚;程文则;张金强 | 申请(专利权)人: | 武汉光谷创元电子有限公司 |
主分类号: | H05K3/14 | 分类号: | H05K3/14;H05K3/42 |
代理公司: | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人: | 刘林华;周心志 |
地址: | 430070 湖北省武汉市*** | 国省代码: | 湖北;42 |
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摘要: | 本发明涉及一种基板及其制造方法。该基板包括:基材;和离子注入层,其注入到基材的表面下方。制造基板的方法包括:对基材进行前处理(S1);以及通过离子注入将导电材料注入到经前处理后的基材的表面下方,形成离子注入层(S2)。 | ||
搜索关键词: | 及其 制造 方法 | ||
【主权项】:
1.一种制造基板的方法,包括:S1:对基材进行前处理,所述前处理包括表面沉积处理和/或表面脱水处理;以及S2:通过离子注入将导电材料注入到经前处理后的所述基材的表面下方,形成离子注入层,其中,所述表面沉积处理包括:封孔处理,即将封孔剂涂布于所述基材的表面上且随后进行干燥;或者氧化物沉积处理,即在所述基材的表面上沉积一层或多层氧化物,并且所述表面脱水处理包括离子束照射处理,即在真空环境下,用离子束照射所述基材的表面,同时排出所产生的水蒸气,其中所述离子束包括由氩气、氮气、氧气、氢气中的一种或多种组成的离子气体。
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