[发明专利]一种等离子处理装置运行方法有效
| 申请号： | 201510747995.2 | 申请日： | 2015-11-06 |
| 公开（公告）号： | CN106683969B | 公开（公告）日： | 2018-09-11 |
| 发明（设计）人： | 孙超;彭帆;倪图强 | 申请（专利权）人： | 中微半导体设备（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01J37/32 | 分类号： | H01J37/32;H01L21/67 |
| 代理公司： | 上海信好专利代理事务所(普通合伙) 31249 | 代理人： | 徐雯琼;张静洁 |
| 地址： | 201201 上海市浦东新*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 一种等离子处理装置运行方法，所述等离子处理装置包括：反应腔，位于反应腔内下方的基座，一个射频电源连接到所述基座内的电极，一个基片固定装置设置于所述基座上，基片固定在所述基片固定装置上方，一个聚焦环围绕所述基片固定装置且位于所述电极上方，一个加热电源通过一个可控开关连接到加热装置，所述运行方法包括：交替进行的刻蚀步骤和清洁步骤，刻蚀步骤中执行刻蚀工艺：断开可控开关通入刻蚀气体，施加具有第一功率的射频功率到所述反应腔；清洁步骤中，移除刻蚀完成的基片，通入含氧的清洁气体，施加具有第二功率的射频功率到所述反应腔，导通所述可控开关使得加热电路对聚焦环加热；其中第一功率大于第二功率。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 等离子 处理 装置 运行 方法 | ||
【主权项】：
1.一种等离子处理装置运行方法，所述等离子处理装置包括：反应腔，位于反应腔顶部的反应气体进气装置，位于反应腔内下方用于固定基片的基座，一个射频电源连接到所述基座内的电极，一个基片固定装置设置于所述基座上，基片固定在所述基片固定装置上方，一个聚焦环围绕所述基片固定装置且位于所述电极上方，一个加热电源通过一个可控开关连接到加热装置，所述运行方法包括：交替进行的刻蚀步骤和清洁步骤，刻蚀步骤中执行刻蚀工艺：断开所述可控开关使得加热电路与反应腔内电隔离，通入包含氟碳化合物的刻蚀气体，施加具有第一功率的射频功率到所述反应腔内以形成等离子体对基片进行刻蚀；清洁步骤中，移除刻蚀完成的基片并执行清洁工艺：通入含氧的清洁气体，施加具有第二功率的射频功率到所述反应腔内形成等离子体对反应腔内部进行清洁，导通所述可控开关使得加热电路对聚焦环加热；其中第一功率大于第二功率。
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