[发明专利]半导体器件以及电流限制方法

摘要

公开了一种半导体器件以及电流限制方法。获得了稳定的负载启动以及过电流检测准确度的增大。半导体器件包括主晶体管和电流限制单元。该主晶体管实现电力向负载的供给。该电流限制单元包括控制该主晶体管的栅极电压的控制晶体管并且具有限制流过该主晶体管的电流的电流限制功能。该电流限制单元具有电流限制值并检测过电流从该主晶体管流出，并且当该电流等于或大于该电流限制值，并且该控制晶体管接通时的运行电压等于或大于电流限制激活电压时，激活该电流限制功能，该电流限制激活电压是当该电流上升到该电流限制值时与该控制晶体管的栅极处产生的预定电压相加的校正电压。

主权项

1.一种半导体器件，包括：主晶体管，实现电力从电源向负载的供给；以及电流限制单元，包括控制所述主晶体管的栅极电压的控制晶体管，且具有限制流过所述主晶体管的电流的电流限制功能，其中所述电流限制单元具有电流限制值以用于判定大于所述负载运行在稳态时的运行电流的电流流动，以及检测过电流从所述主晶体管流出，并且当流过所述主晶体管的所述电流等于或大于所述电流限制值，并且所述控制晶体管接通时的运行电压等于或大于电流限制激活电压时，激活所述电流限制功能，所述电流限制激活电压是当流过所述主晶体管的所述电流上升到所述电流限制值时与所述控制晶体管的栅极处产生的预定电压相加的校正电压，所述电流限制单元将所述电流限制值设定为低于在负载启动时发生的涌入电流的最大瞬时值，并且当所述运行电压低于所述电流限制激活电压时，即使所述涌入电流等于或大于所述电流限制值，也不激活所述电流限制功能。