[发明专利]半导体装置及半导体装置的制造方法

摘要

一种使用氧化物半导体的半导体装置，其具有稳定的电特性和高可靠性。在具有氧化物半导体膜的底栅的晶体管的制造工序中，进行通过热处理的脱水化或脱氢化以及进行氧掺杂处理。具有受到通过热处理的脱水化或脱氢化以及氧掺杂处理的氧化物半导体膜的晶体管是具有高可靠性的晶体管，其中在偏压－热应力试验（BT试验）中晶体管的阈值电压的变化量可以减小。

主权项

1.一种半导体装置的制造方法，包括如下步骤：在绝缘表面上形成氧化物半导体层，所述氧化物半导体层包含沟道形成区，所述氧化物半导体层含有铟、镓和锌；在含有氮的气氛中对所述氧化物半导体层进行第一热处理；在所述第一热处理之后对所述氧化物半导体层进行氧掺杂处理以将氧离子提供到所述氧化物半导体层的内部，以便在所述氧化物半导体层中形成氧含量大于化学计量比并且小于化学计量比的两倍的区域，由此补偿所述氧化物半导体层中的氧缺陷；以及在所述第一热处理之后在含有氧的气氛中对所述氧化物半导体层进行第二热处理。