[发明专利]集成电路有效
| 申请号： | 201510750277.0 | 申请日： | 2015-11-06 |
| 公开（公告）号： | CN106684079B | 公开（公告）日： | 2019-05-14 |
| 发明（设计）人： | 颜孝璁;简育生;叶达勋 | 申请（专利权）人： | 瑞昱半导体股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/02 | 分类号： | H01L27/02 |
| 代理公司： | 北京康信知识产权代理有限责任公司 11240 | 代理人： | 梁丽超;陈鹏 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 一种集成电路，包含第一电感、第二电感及阻挡器。第一电感位于一金属层，第二电感位于上述金属层，而阻挡器配置于上述金属层上，并位于第一电感与第二电感之间，用以阻挡第一电感与第二电感之间的耦合。 | ||
| 搜索关键词： | 集成电路 | ||
【主权项】：
1.一种集成电路，包含：一第一电感，位于一金属层；一第二电感，位于该金属层；以及一阻挡器，配置于该金属层上，并位于该第一电感与该第二电感之间，用以阻挡该第一电感与该第二电感之间的耦合，其中，该阻挡器形成电流环，该电流环配置于该金属层上，并位于该第一电感与该第二电感之间，其中，该电流环位于一平面，该平面约垂直于该金属层，该阻挡器包含：一第一垫片；一第二垫片，耦接于该第一垫片；以及一导线，包含：一第一端，耦接于该第一垫片；以及一第二端，耦接于该第二垫片。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
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H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
