[发明专利]一种高效磁过滤等离子体沉积制备DLC厚膜方法有效
| 申请号： | 201510750821.1 | 申请日： | 2015-11-06 |
| 公开（公告）号： | CN105755442B | 公开（公告）日： | 2019-07-26 |
| 发明（设计）人： | 廖斌;欧阳晓平;罗军;张旭;吴先映;王宇东 | 申请（专利权）人： | 北京师范大学 |
| 主分类号： | C23C14/48 | 分类号： | C23C14/48;C23C14/16;C23C14/06;C23C14/22 |
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| 地址： | 100875 北*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 一种厚度超过30微米金属碳化(Metal Carbide)镶嵌的类金刚石(Diamond‑like Carbon)MC/DLC膜制备的方法，属于硬质耐磨涂层制备领域，具体涉及一种磁过滤等离子体沉积法制备MC/DLC厚膜技术，其中MC/DLC厚膜结构包括离子注入钉扎层、金属过渡层以及MC/DLC膜。本发明的目的是结合离子注入技术、磁过滤技术和阴极弧沉积技术制备的MC/DLC具有较高的结合力，并通过控制沉积过程中的弧流强度、弯管磁场强度以及含碳气体进气量，优化MC/DLC厚膜的厚度、硬度和耐磨擦磨损性，制备优质的MC/DLC厚膜。本发明所使用的磁过滤等离子体沉积设备是拥有自主知识产权的，设备操作简单，工艺成熟，可实现批量成产，适合所有刀具轴承等工业零件中高硬耐磨涂层沉积应用。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 高效 过滤 等离子体 沉积 制备 dlc 方法 | ||
【主权项】：
1.一种磁过滤等离子体沉积制备DLC厚膜方法，其特征为：膜层结构包括离子注入“钉扎”层、金属过渡层、金属碳化物/DLC层，其中金属碳化物/DLC层是金属碳化物和DLC相互镶嵌的结构；膜层是通过金属过渡层与金属碳化物/DLC膜按调制周期沉积而成，调制周期2～8，其中金属过渡层沉积时间2～6分钟，金属碳化物/DLC沉积时间20～40分钟，金属碳化物/DLC厚膜厚度30～55μm。
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