[发明专利]适应非曼哈顿形体的随机行走电容参数提取方法及系统

摘要

一种适应非曼哈顿形体的随机行走电容参数提取方法及系统通过旋转转移立方体，使得转移立方体与倾斜导体的接触面积显著增大，并且提出安全区域的概念及其计算方法，从而保证旋转的转移立方体不与导体相交。本发明还针对非曼哈顿结构定义了一种新型遮挡关系，并以此为基础设计了便于查询最近导体和计算安全区域大小的空间管理结构。本发明对现有的针对于曼哈顿结构电路的悬浮随机行走算法进行扩展，使其能够应用于包含非曼哈顿结构的电路的电容提取问题。

主权项

1.一种适应非曼哈顿形体的随机行走电容参数提取方法，运行于计算装置中，用于对集成电路提取互连电容参数，其特征在于，该方法包括：载入步骤，载入预先计算的转移概率表和权重表；建立步骤，根据集成电路中曼哈顿结构导体和非曼哈顿结构导体在空间中的分布情况建立统一的空间管理结构；构建步骤，构建包围主导体j的高斯面，所述高斯面内仅包含主导体，并且不与任何环境导体相交；初始化步骤，将主导体j与每个环境导体之间的耦合电容主导体j的主电容C_jj及随机行走步数npath初始化为0；计算步骤一，计算随机行走步数npath，npath:＝npath+1；计算步骤二，在包围主导体j的高斯面上任取一点r(0)为行走起始点，以点r(0)为中心构建一个转移立方体，根据载入的转移概率表在该转移立方体的表面上以相应的转移概率任意取一点r(1)为下一行走点处，根据载入的权重表获取随机行走当前点r(1)处的权值ω(r,r(1))，对权值赋值ω:＝ω(r,r(1))；判断步骤一，判断当前点r(1)是否在导体上；构造步骤，若当前点r(1)不在导体上，利用空间管理结构查找距离当前点r(1)最近的导体并计算安全距离，然后构造以当前点r(1)为中心，且不与任一个导体相交的转移立方体，所述构造步骤包括：构造子步骤一，用当前点p表示当前点r(1)，以当前点p作为查询点，在空间管理结构中查找距离当前点p最近的导体N，最近距离d及安全区域半边长s，所述安全区域是一个以当前点p为中心的曼哈顿立方体，并且只与至多一个导体相交；构造子步骤二，构造以当前点p为中心，d为半边长的曼哈顿立方体CN作为候选转移立方体；构造子步骤三，当最近的导体N不为曼哈顿导体时，计算当前点p到最近的导体N的旋转距离r＝distr(p,N)和旋转角度θ，构造以当前点p为中心，r为半边长，旋转θ的立方体RN作为候选转移立方体；构造子步骤四，根据安全区域半边长s计算安全区域S；构造子步骤五，当立方体RN比曼哈顿立方体CN大且立方体RN完全在安全区域S内时，使用立方体RN作为转移立方体进行转移；及构造子步骤六，当立方体RN不大于曼哈顿立方体CN时或者立方体RN不完全在安全区域S内或者最近的导体N为曼哈顿导体时，使用曼哈顿立方体CN作为转移立方体进行转移；计算步骤三，根据载入的转移概率表在所构造的转移立方体上随机取一点，将该随机点赋值给r(1)，更新r(1)的值，返回判断步骤一；计算步骤四，若当前点r(1)在导体上，计算主导体j与导体i之间的耦合电容Cji，Cji＝Cji+ω；判断步骤二，判断是否满足收敛条件，若不满足收敛条件，返回计算步骤一；及计算步骤五，当满足收敛条件时，计算主导体j与各个环境导体i之间的耦合电容C_ji及主导体j的主电容C_jj，其中C_ji:＝C_ji/npath,C_jj:＝‑∑_i≠jC_ji。