[发明专利]自驱动发光薄膜晶体管,薄膜晶体管阵列及显示装置在审

专利信息
申请号: 201510751333.2 申请日: 2015-11-05
公开(公告)号: CN106684153A 公开(公告)日: 2017-05-17
发明(设计)人: 戴明志 申请(专利权)人: 中国科学院宁波材料技术与工程研究所
主分类号: H01L29/786 分类号: H01L29/786;H01L29/22;H01L27/12;G02F1/1368
代理公司: 北京中政联科专利代理事务所(普通合伙)11489 代理人: 郭晓华
地址: 315201 浙江*** 国省代码: 浙江;33
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摘要: 发明公开一种自驱动发光薄膜晶体管,包括:半导体层包括第一表面以及第二表面;源极以及漏极,间隔设置于所述第一表面,且源极和漏极之间接一第一电压;绝缘层,设置于所述第二表面;栅极,设置于所述绝缘层远离所述半导体层的表面,所述栅极接一第二电压;其中,所述半导体层为氧化物半导体层,且当空穴和电子分别从所述漏极和源极注入所述氧化物半导体层,并在所述氧化物半导体层中复合时会产生光线射出。本发明还提供一种使用上述自驱动发光薄膜晶体管的自驱动发光薄膜晶体管阵列及显示装置。
搜索关键词: 驱动 发光 薄膜晶体管 阵列 显示装置
【主权项】:
一种自驱动发光薄膜晶体管,其特征在于,包括:半导体层包括第一表面以及第二表面;源极以及漏极,间隔设置于所述第一表面,且源极和漏极之间接一第一电压;绝缘层,设置于所述第二表面;栅极,设置于所述绝缘层远离所述半导体层的表面,所述栅极接一第二电压;其中,所述半导体层为氧化物半导体层,且当空穴和电子分别从所述漏极和源极注入所述氧化物半导体层,并在所述氧化物半导体层中复合时会产生光线射出。
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