[发明专利]一种Au纳米颗粒修饰SiC纳米线场发射阴极在审
| 申请号： | 201510752329.8 | 申请日： | 2015-11-06 |
| 公开（公告）号： | CN105374652A | 公开（公告）日： | 2016-03-02 |
| 发明（设计）人： | 杨为佑;陈强;陈善亮 | 申请（专利权）人： | 宁波工程学院 |
| 主分类号： | H01J1/304 | 分类号： | H01J1/304;H01J9/02 |
| 代理公司： | 宁波市鄞州盛飞专利代理事务所(普通合伙) 33243 | 代理人： | 张向飞 |
| 地址： | 315000 浙*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本发明公开的Au纳米颗粒修饰SiC纳米线场发射阴极，包括基底以及分布于基底上的电极，其特征在于：所述电极中至少部分的材料为纳米线，所述纳米线为在纳米线上形成有Au纳米颗粒的，所述Au纳米颗粒的尺寸为1-10nm。本发明阴极具有极其良好的场发射能力，且开启电池低，性能高效，应用范围广，同时制备工艺简单，操作方便，与现有技术相比较有较低的能耗。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 au 纳米 颗粒 修饰 sic 发射 阴极 | ||
【主权项】：
一种Au纳米颗粒修饰SiC纳米线场发射阴极，包括基底以及分布于基底上的电极，其特征在于：所述电极中至少部分的材料为纳米线，所述纳米线为在纳米线上形成有Au纳米颗粒的，所述Au纳米颗粒的尺寸为1‑10nm。
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