[发明专利]用于使用微波辐射的掺杂剂活化的方法和系统在审
| 申请号： | 201510754802.6 | 申请日： | 2015-11-09 |
| 公开（公告）号： | CN106057885A | 公开（公告）日： | 2016-10-26 |
| 发明（设计）人： | 蔡俊雄;杨怀德;游国丰;陈科维 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L21/336;H01L29/06;H01L29/08;H01L21/02 |
| 代理公司： | 北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409 | 代理人： | 章社杲;李伟 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 半导体结构包括衬底和源极/漏极(S/D)结。S/D结与衬底相关并且包括半导体材料，该半导体材料包括锗并且半导体材料的锗的组分百分比介于约50％和约95％之间。本发明的实施例还涉及用于使用微波辐射的掺杂剂活化的方法和系统。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 使用 微波 辐射 掺杂 活化 方法 系统 | ||
【主权项】：
一种半导体结构，包括：衬底；以及源极/漏极(S/D)结，与所述衬底相关并且包括半导体材料，所述半导体材料包括锗并且所述半导体材料的锗的组分百分比介于约50％和约95％之间。
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