[发明专利]一种面向标准CMOS工艺非易失存储器的高压切换方法有效
| 申请号： | 201510754946.1 | 申请日： | 2015-11-09 |
| 公开（公告）号： | CN105469825B | 公开（公告）日： | 2019-11-19 |
| 发明（设计）人： | 王宏义;李文晓;曾祥华;李聪;陈娅玲;徐顺强;郑黎明;吴建飞 | 申请（专利权）人： | 中国人民解放军国防科学技术大学 |
| 主分类号： | G11C16/12 | 分类号： | G11C16/12;G11C16/14 |
| 代理公司： | 11429 北京中济纬天专利代理有限公司 | 代理人： | 胡伟华<国际申请>=<国际公布>=<进入 |
| 地址： | 410073 湖*** | 国省代码： | 湖南;43 |
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| 摘要： | 本发明属于微电子技术领域，公开了一种面向标准CMOS工艺非易失存储器的高压切换方法，包括步骤：(1)存储器阵列上电，将存储阵列中所有存储单元端口均连接电压V2；(2)启动写命令，将存储阵列中所有存储单元的端口均连接电压V1；(3)存储器阵列进入擦除或者编程状态，将存储阵列中需要高压的存储单元端口继续保持与V1的连接，不需要高压的存储单元端口与V1断开，然后连接至电压V2；(4)结束写命令，存储阵列中所有存储单元的端口均与电压V1断开，并与电压V2连接，存储器再次进入等待命令状态。本发明不需要在高压产生模块的输出端口挂载容量较大的去耦电容，并且能够适应于容量较大的非易失存储器中。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 面向 标准 cmos 工艺 非易失 存储器 高压 切换 方法 | ||
【主权项】：
1.一种面向标准CMOS工艺非易失存储器的高压切换方法，所述存储器包含若干个存储单元，所有存储单元组成存储阵列，其特征在于包括以下步骤：/n(1)存储器阵列上电，将存储阵列中所有存储单元的端口均连接电压V2，存储器进入等待命令状态；/n(2)启动写命令，存储器中负责产生高压的电路开始工作，将存储阵列中所有存储单元的端口均连接电压V1；/n(3)存储器阵列进入擦除或者编程状态，将存储阵列中需要高压的存储单元端口继续保持与V1的连接，将不需要高压的存储单元端口与V1断开，然后连接至电压V2；/n(4)结束写命令，存储阵列中所有存储单元的端口均与电压V1断开，并与电压V2连接；存储器再次进入等待命令状态。/n
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