[发明专利]改进的电阻式随机存取存储器(RRAM)结构有效
| 申请号： | 201510755878.0 | 申请日： | 2015-11-09 |
| 公开（公告）号： | CN105826466B | 公开（公告）日： | 2019-02-12 |
| 发明（设计）人： | 金海光;蔡嘉雄;梁晋玮;蔡正原;林杏莲;杨晋杰;朱文定 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L45/00 | 分类号： | H01L45/00;H01L27/24 |
| 代理公司： | 北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409 | 代理人： | 章社杲;李伟 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 提供了具有基于V族氧化物和氧化铪的高κ层的电阻式随机存取存储器(RRAM)单元。RRAM单元包括底部电极层；V族氧化物层，布置在底部电极层上方；和氧化铪基层，布置在V族氧化物层上方并且邻接V族氧化物层。RRAM单元还包括覆盖层，布置在氧化铪基层上方并且邻接氧化铪基层；以及顶部电极层，布置在覆盖层上方。还提供了一种用于制备RRAM单元的方法。本发明实施例涉及改进的电阻式随机存取存储器(RRAM)结构。 | ||
| 搜索关键词： | 改进 电阻 随机存取存储器 rram 结构 | ||
【主权项】：
1.一种电阻式随机存取存储器(RRAM)单元，包括：底部电极层；V族氧化物层，布置在所述底部电极层上方；氧化铪基层，布置在所述V族氧化物层上方并且邻接所述V族氧化物层；覆盖层，布置在所述氧化铪基层上方并且邻接所述氧化铪基层；以及顶部电极层，布置在所述覆盖层上方；完全地或部分地形成的导电细丝，布置在所述氧化铪基层和所述V族氧化物层内，并且从所述V族氧化物层延伸至所述氧化铪基层内，其中，所述导电细丝包括通过所述氧化铪基层和所述V族氧化物层之间的界面为界限的上部区域和下部区域，并且其中，所述导电细丝的下部区域具有比所述导电细丝的上部区域更小的覆盖区。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于台湾积体电路制造股份有限公司，未经台湾积体电路制造股份有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201510755878.0/，转载请声明来源钻瓜专利网。
