[发明专利]3D封装件结构及其形成方法在审
| 申请号： | 201510756143.X | 申请日： | 2015-11-09 |
| 公开（公告）号： | CN106328619A | 公开（公告）日： | 2017-01-11 |
| 发明（设计）人： | 陈孟泽;刘重希;林志伟;黄晖闵;郭炫廷;郑明达 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/488 | 分类号： | H01L23/488;H01L23/29;H01L23/48 |
| 代理公司： | 北京德恒律治知识产权代理有限公司11409 | 代理人： | 章社杲,李伟 |
| 地址： | 暂无信息 | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明提供一种方法，包括：在载体衬底上方形成第一管芯封装件，第一管芯封装件包括第一管芯，第一再分布层形成在第一管芯上方并耦接至第一管芯，第一再分布层包括设置在一层或多层介电层中的一层或多层金属层，第二管芯附着于再分布层上方，在第二管芯和第一再分布层上方层压第一介电材料，形成穿过第一介电材料至第二管芯的第一通孔，并且形成穿过第一介电材料至第一再分布层的第二通孔，以及在第一介电材料上方以及在第一通孔和第二通孔上方形成第二再分布层，并且第二再分布层耦接至第一通孔和第二通孔。本发明还提供一种结构。 | ||
| 搜索关键词： | 封装 结构 及其 形成 方法 | ||
【主权项】：
一种方法，包括：在载体衬底上方形成第一管芯封装件，所述第一管芯封装件包括第一管芯；在所述第一管芯上方形成第一再分布层，并且所述第一再分布层耦接至所述第一管芯，所述第一再分布层包括设置在一层或多层介电层中的一层或多层金属层；将第二管芯附着于在所述第一再分布层上方；在所述第二管芯和所述第一再分布层上方层压第一介电材料；形成穿过所述第一介电材料至所述第二管芯的第一通孔，并且形成穿过所述第一介电材料至所述第一再分布层的第二通孔；以及在所述第一介电材料上方以及所述第一通孔和所述第二通孔上方形成第二再分布层，并且所述第二再分布层耦接至所述第一通孔和所述第二通孔。
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