[发明专利]一种基于紫外宽光谱泰伯自成像的光刻系统

摘要

本发明涉及一种基于紫外宽光谱泰伯自成像的光刻系统，该系统主要利用光学泰伯效应自成像原理，采用非单色紫外光照明周期掩膜时，不同光谱、不同级次的自成像光场相互交错、非相干叠加，在掩膜下方一定后方距离形成连续可成像区域。本发明相比于单波长照明的自成像光刻系统，紫外宽光谱自成像的可成像区域可以拓展至数毫米，甚至厘米量级。将硅片置于连续可成像区域的任意位置时，均可获得强度近似相等的自成像和相移自成像光场分布，从而实现周期倍频，提高了制作周期微纳结构的分辨力。同时，该原理制作周期型微纳结构时，不需要复杂的光学透镜系统，大大降低了制作成本。

主权项

一种基于紫外宽光谱泰伯自成像的光刻系统，其特征在于：该光刻系统由光源(1)、光束准直扩束透镜(2)、掩膜板(3)和硅片(6)组成，通过光源(1)产生一定谱宽的紫外光，经过光束准直扩束透镜(2)照射到掩膜板(3)上，掩膜板后方形成泰伯自成像光场区域，泰伯自成像光场区域分为掩膜板的自成像(4)和相移自成像区域(5)，由于采用的是宽光谱光源，因此在泰伯自成像区域内，能形成很长距离的泰伯自成像区域，大大降低了光刻曝光时对硅片形貌和精准定位的要求，并且实现了周期倍频，提高了制作周期型微纳结构的分辨率。